الكشف عن مواصفات الجيل الثالث لأقراص X25-M SSD من شركة INTEL

هذه الأقراص تحمل الاسم الرمزي Postville Refresh وتُعرف بالجيل الثالث، وستستخدم ذاكرة فلاش بدقة تصنيع 25 نانومتر مما يعني مساحات بحوالي ضعف الموجود حالياً وبنفس السعر، ومع أن عينات هذه الذواكر تم عرضها من شركة انتل الا أن الأقراص المعتمدة عليها غالباً لن تتوفر هذا العام، فمازالت الشركة تجري بعض التحسينات على الذواكر بدقة تصنيع 25 نانومتر لتحصل على أفضل أداء ممكن منها. سيتم طرح هذه الأقراص اما في نهاية هذا العام أو مع بداية العام القادم 2011 وستكون بمساحات من 40 جيجابايت (X25-V) وحتى 600 جيجابايت.

مع أن شركة انتل تخطط لاطلاق شرائح اللوحة الأم من الفئة السادسة (Intel’s 6-series chipsets) في الربع الأول من العام القادم 2011 ومع دعم متوقع الى SATA 3.0 الا أن هذه الأقراص ستدعم SATA 2.0 فقط.
وهذا جدول بموصفات الجيل الجديد مقارنةً بالجيل السابق:

لو أن هذه المواصفات صحيحة فان هذا الجيل من الأقراص SSD سوف ينافس الأقراص المعتمدة على متحكم SandForce وأقراص Crusial RealSSD C300 الموجودة حالياً
أيضاً من الملاحظ تحسن بالعمر الافتراضي للجيل الجديد فنجد أنه يمكن الكتابة العشوائية عليها من 30 الى 60 تيرابايت قبل أن تتلف
من المتوقع أيضاً استخدام ذاكرة كاش أكبر من الموجود حالياً بأقراص الجيل الثاني (32 ميجابايت) واستخدام طريقة التخزين المؤقت للبيانات أثناء الكتابة لتسريع عملية الكتابة واستخدام مكثفات كافية تمد القرص بالطاقة عند انقطاع الطاقة عنها لاعطاء الوقت الكافي لتخزين البيانات من ذاكرة كاش الى القرص.

هناك أيضاً الأقراص الموجهة لاستخدام الأعمال والخوادم سيتم طرحها في الربع الأول من العام القادم وبذاكرة فلاش بدقة تصنيع 25 نانومتر وهذه مواصفاتها:

المصدر

» شركة Kogeto Dot تكشف عن أكسسواره للأيفون 4 تساعد على التصوير بكاميرا 360 درجة